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      當前位置:首頁   >    產品中心   >    介電常數介質損耗因數測試儀   >    介電常數測試儀GDAT-C   >   GDAT-A工程塑料、薄膜高頻介電常數測試儀 產品展示

      工程塑料、薄膜高頻介電常數測試儀

      型 號GDAT-A

      更新時間2024-11-22

      廠商性質生產廠家

      報價

      產品描述:振蕩頻率
      a.振蕩頻率范圍:25kHz~50MHz;
      b.頻率分檔:
      25~74kHz, 74~213kHz, 213-700kHz, 700kHz~1.95MHz,
      1.95MHz~5.2MHz, 5.2MHz~17MHz, 17~50MHz。
      c.頻率誤差:2×10±1個字。
      Q合格指示預置功能,預置范圍:5~999。

      產品概述

      工程塑料、薄膜高頻介電常數測試儀振蕩頻率

      a.振蕩頻率范圍:25kHz50MHz

      b.頻率分檔:

      2574kHz 74213kHz 213-700kHz 700kHz1.95MHz

      1.95MHz5.2MHz 5.2MHz17MHz 1750MHz

      c.頻率誤差:2×10±1個字。

      Q合格指示預置功能,預置范圍:5999

       

       

      工程塑料、薄膜高頻介電常數測試儀主要技術指標:

      2.1 tanδ和ε性能:

      2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測試。

      2.1.2 tanδ和ε測量范圍:

      tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

      2.1.3 tanδ和ε測量精度(1MHz):

      tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

      工作頻率范圍:50kHz~50MHz    四位數顯,壓控振蕩器

      Q值測量范圍:1~1000三位數顯,±1Q分辨率

      可調電容范圍:40~500 pF  ΔC±3pF

      電容測量誤差:±1%±1pF

      Q表殘余電感值:約20nH

       

       

      特點: 

      ◎ 本公司創新的自動Q值保持技術,使測Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。

      ◎ 能對固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。

      ◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

      ◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數:Q值,測試頻率,調諧狀態等。

      ◎ Q值量程自動/手動量程控制。

      ◎ DPLL合成發生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測試信號。獨立信號   源輸出口,所以本機又是一臺合成信號源。

      ◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規范要求。

       

       

      電感器:

      按測試頻率要求,需要配置不同量的電感器。

      例如:在1MHz測試頻率時,要配250μH電感器,在50MHz測試頻率時,要配0.1μH電感器等。

       

      高頻介質樣品(選購件):
      在現行高頻介質材料檢定系統中,檢定部門為高頻介質損耗測量儀提供的測量標準是高頻標準介質樣品。

      該樣品由人工藍寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測試樣品。用戶可按需訂購,以保證測試裝置的重復性和準確性。

       

      工作頻率范圍是10kHz~160MHz,它能完成工作頻率內材料的高頻介質損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。

      本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線性電容器組成,平板電容器一般用來夾被測樣品,配用Q表作為指示儀器。

      絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數通過公式計算得到。

      同樣,由測微圓筒線性電容器的電容量讀數變化,通過公式計算得到介電常數。

       

       

      電感測量

      a.測量范圍:0.1μH1H

      b.分 檔:分七個量程。

      0.11μH 110μH 10100μH

      0.1lmH 110mH 10100mH 100 mH1H

       

       

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