介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀：GDAT-A
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
     GDAT-A       

3．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀電容測(cè)量：1~ 460
項(xiàng)    目
GDAT-A
直接測(cè)量范圍
1～460pF
主電容調(diào)節(jié)范圍
準(zhǔn)確度
30～500pF
150pF以下±1.5pF；
150pF以上±1％
   注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用規(guī)則
   4．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍
項(xiàng)     目
GDAT-A
頻率范圍
10kHz～50MHz
頻率分段
（虛擬）
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz     
頻率指示誤差
3×10-5±1個(gè)字
   5．Q合格指示預(yù)置功能
      預(yù)置范圍：5～1000。
   6．Q表正常工作條件
   a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀的詳細(xì)資料：
 一、   介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
二、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀的技術(shù)指標(biāo)
  1．Q值測(cè)量
   a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。
   b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
 c．標(biāo)稱誤差
項(xiàng)    目
GDAT-A
頻率范圍
20kHz～10MHz；
固有誤差
≤5％±滿度值的2％；
工作誤差
≤7％±滿度值的2％；
頻率范圍
10MHz～60MHz；
固有誤差
≤6％±滿度值的2％；
工作誤差
≤8％±滿度值的2％。
   2．電感測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H
 
 
 
 
                     

線圈號(hào)    測(cè)試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH
             
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH